[16a-Z33-1~10] 6.3 Oxide electronics

[16a-Z33-3] Effect of Post Annealing on ITO Thin Films Deposited at Low Temperature by Sputtering with Argon/Hydrogen Gas mixtures

〇Tokumo Kuze¹, Takanori Shinozaki², Masao Isomura^1,2 (1.Tokai Univ, 2.Graduate School of Eng)

Keywords:Sputter deposition, Indium Tin Oxide, Post Annealing

透明導電膜であるスズ添加酸化インジウム(ITO)は低い抵抗率と高い光透過率を有することから、ディスプレイや太陽電池などの光学デバイスにおける主要な材料の一つとして広く用いられている。ITO薄膜の製膜法としてスパッタリング法が工業的に広く最も良く利用されているが、一般的にスパッタリング法で良好な導電性を得るには高い製膜温度が必要である。そこで、本研究では室温でアルゴン水素混合ガススパッタリングにより形成したITO薄膜をポストアニールすることで、より低温のプロセスで良質な導電性を得ることを検討した。