[16a-Z33-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-Z33-3] アルゴン/水素混合ガススパッタにより低温形成したITO薄膜のポストアニール効果

〇久瀬 登雲¹、篠崎 貴紀²、磯村 雅夫^1,2 (1.東海大工、2.東海大院工)

キーワード：スパッタリング、酸化インジウムスズ、ポストアニール

透明導電膜であるスズ添加酸化インジウム(ITO)は低い抵抗率と高い光透過率を有することから、ディスプレイや太陽電池などの光学デバイスにおける主要な材料の一つとして広く用いられている。ITO薄膜の製膜法としてスパッタリング法が工業的に広く最も良く利用されているが、一般的にスパッタリング法で良好な導電性を得るには高い製膜温度が必要である。そこで、本研究では室温でアルゴン水素混合ガススパッタリングにより形成したITO薄膜をポストアニールすることで、より低温のプロセスで良質な導電性を得ることを検討した。