[16a-Z33-1~10] 6.3 Oxide electronics

[16a-Z33-8] Evaluation of Electronic States of Resistive Random Access Memory Using Low-Frequency-Noise Spectroscopy

〇(M1)Kota Sugawara^1,2, Hiroshi Suga^1,2, Yasuhisa Naitoh¹, Hisashi Shima¹, Hiroyuki Akinaga¹ (1.AIST, 2.CIT)

Keywords:resistive random access memory

抵抗変化メモリは抵抗変化の起源が，酸素イオンの移動を伴うことから，変化する抵抗値を正確に制御することが課題となっている．本研究では，低周波ノイズ分光法を用いて，温度に対する様々なノイズのピーク強度を求め，アレニウスプロットでフィッティングし，活性化エネルギーを求めた．活性化エネルギーの値から，抵抗変化に寄与している電子は酸素欠損由来のトラップの影響を受けていると考えられた．