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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[16a-Z33-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2021年3月16日(火) 09:00 〜 12:00 Z33 (Z33)

島久(産総研)、福地厚(北大)

11:30 〜 11:45

[16a-Z33-9] Pt/Nb:STO抵抗変化メモリにおける基本メモリ特性に対するプローブ接触の影響

〇(M1)橋本悠太¹、青木裕雅¹、木下健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：Nb:STO、抵抗保持特性、直接接触