[16p-P01-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-P01-12] 陽極酸化AlGaN/GaNヘテロ構造の電気伝導特性

〇高橋 遼¹、金田 洸貴¹、藤岡 洋²、前田 就彦¹ (1.東京工科大、2.東大生研)

キーワード：窒化ガリウム、陽極酸化

我々は電気化学的手法によるGaNの陽極酸化と、酸化物除去による2段階ウェットエッチング法について報告した。本研究では基礎的な検討として、GaNに対する陽極酸化をAlGaN/GaNヘテロ構造に適用し、ホール効果測定によって電気伝導特性評価を行った。陽極酸化により、キャリア濃度は40％弱低下する結果が得られた。このことより、AlGaN部分が陽極酸化され、i-GaN部は酸化されていないと考えられた。また、2DEG特性劣化は認められなかった。