[16p-P05-1~7] 6.2 Carbon-based thin films

[16p-P05-4] Lattice polarity of MBE grown AlN films on diamond (111)

〇Shozo Kono¹, Tetsuya Tatsuishi², Kyotaro Kanehisa², Masaru Shimomura³, Hiroshi Kawarada^1,2 (1.RONL, Waseda Univ., 2.Fac. Sci. Engi., Waseda Univ., 3.Fac. Eng., Shizuoka Univ.)

Keywords:diamond substrate, AlGaN thin film, lattice polarity

n型AlNとp型ダイヤモンド接合が実現するとパワーデバイス等への用途が拡大することで、ダイヤモンド基板上のAlN薄膜成長は注目される。我々はMBE法によるAlN薄膜成長の研究を続けているが、MBE法ではn型AlN膜成長は困難が予想される。一方、n型AlGaN膜成長はMBE法においていくつかの成功例が報告されている。 我々もすでにMBE法でダイヤモンド基板上の電導性AlGaN膜の成長に成功している。AlGaN膜成長に置いてはAlN膜をBuffer層としているが、AlN膜の格子極性はダイヤモンドとAlGaN膜との接合特性に大きく寄与する。従って、AlN膜の極性の知見は重要である。本研究では、その極性についてX線光電子回折により決定したので報告する。