[16p-P05-1~7] 6.2 カーボン系薄膜

[16p-P05-4] ダイヤモンド(111)基板上のMBE成長AlN薄膜の格子極性

〇河野 省三¹、立石 哲也²、金久 京太郎²、下村 勝³、川原田 洋^1,2 (1.早大ナノ・ライフ、2.早大理工、3.静大工)

キーワード：ダイヤモンド基板、AlGaN薄膜、格子極性

n型AlNとp型ダイヤモンド接合が実現するとパワーデバイス等への用途が拡大することで、ダイヤモンド基板上のAlN薄膜成長は注目される。我々はMBE法によるAlN薄膜成長の研究を続けているが、MBE法ではn型AlN膜成長は困難が予想される。一方、n型AlGaN膜成長はMBE法においていくつかの成功例が報告されている。 我々もすでにMBE法でダイヤモンド基板上の電導性AlGaN膜の成長に成功している。AlGaN膜成長に置いてはAlN膜をBuffer層としているが、AlN膜の格子極性はダイヤモンドとAlGaN膜との接合特性に大きく寄与する。従って、AlN膜の極性の知見は重要である。本研究では、その極性についてX線光電子回折により決定したので報告する。