[16p-P10-1~2] 13.1 Fundamental properties, surface and interface, and simulations of Si related materials

[16p-P10-2] Strain Dependent Intrinsic Fermi Level at the Interface of Semiconductors

〇Kazunori Matsuda¹, Ken'ichi Nakayama¹, Kouji Tanigawa¹, Kan'ichiro Takakura² (1.Tokushima Bunri Univ., 2.NIT Kumamoto)

Keywords:intrinsic Fermi level, Strain

半導体pn接合の内蔵電位VbiやMOSFET のしきい電圧Vtは真性フェルミレベルとフェルミレベルの差ΨB=EiーEFを用いて議論されている。接合した2つの物質ではバンドがシフトし、フェルミレベルが揃う。このシフトにともないpn接合界面では、バンドが曲がり真性フェルミレベルに差が生じる。またMOSFETでは、2qΨB以上のバイアス以上の逆バイアスで最大の反転層が形成される．本研究では，MOSキャパシタの反転領域における空乏層キャパシタンスの歪依存性について実験した結果にもとづいて真性フェルミレベルの歪依存性について述べる。