[16p-P12-1~4] 13.3 Insulator technology

[16p-P12-3] Effects of PDA on sputter-derived HfO₂/Ge structures

Yusuke Yamamoto¹, Daichi Yamada¹, 〇Yohei Otani¹, Hiroshi Okamoto² (1.Suwa Univ. of Sci., 2.Hirosaki Univ.)

Keywords:high-k, Ge

スパッタ法によりGe基板上にHfO₂薄膜を堆積し、真空蒸着法によりPt電極を堆積して作製したPt/HfO₂/Ge/Pt構造の試料に対する電極堆積前熱処理(PDA)の効果について電気特性の評価を行い、作製した全ての試料においてPDAすることにより顕著な特性改善が確認でき、スパッタ法で作製した試料としては良好なCV特性が確認できた。