[16p-P12-1~4] 13.3 絶縁膜技術

[16p-P12-3] スパッタ法を用いて作製したHfO₂/Ge構造に対するPDAの効果

山本 裕介¹、山田 大地¹、〇王谷 洋平¹、岡本 浩² (1.公立諏訪東京理科大、2.弘前大)

キーワード：高誘電率材料、ゲルマニウム

スパッタ法によりGe基板上にHfO₂薄膜を堆積し、真空蒸着法によりPt電極を堆積して作製したPt/HfO₂/Ge/Pt構造の試料に対する電極堆積前熱処理(PDA)の効果について電気特性の評価を行い、作製した全ての試料においてPDAすることにより顕著な特性改善が確認でき、スパッタ法で作製した試料としては良好なCV特性が確認できた。