[16p-Z07-1~11] パワーデバイスの最新動向と今後の展望

[16p-Z07-3] SiCパワーMOSFETおよび界面高品質化の進展

〇木本 恒暢¹、小林 拓真^1,2、立木 馨大¹、松下 雄一郎² (1.京大工、2.東工大)

キーワード：SiC、パワーデバイス、MOSFET

耐圧1~3 kV級のSiCパワーMOSFETの実用化が進み，各種機器で顕著な省エネ効果が示されている。しかし，SiC MOSFETの根幹を担う酸化膜/SiCの界面には依然として高密度の欠陥が存在し，ゲート電圧で誘起された反転層キャリアの多くが界面欠陥に捕獲される。本講演では，SiCパワーMOSFETの進展を概説した後，著者らの最近の取り組みについて紹介する。