[16p-Z10-1~17] 3.15 Silicon photonics and integrated photonics

[16p-Z10-4] Voids occupancy comparison of directly bonded InP / Si substrate using gas out channel

〇Motonari Sato¹, Takahiro Ishizaki¹, Takuto Shirai¹, Koki Tsushima¹, Kota Shibukawa¹, Koji Agata¹, Momoko Kotani¹, Shingo Ito¹, Xu Han¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:semiconductor, Silicon Photonics, Optical Interconnection

増大する通信需要に対して通信ネットワークの大容量化のために、電気・光デバイスの集積化技術であるシリコンフォトニクスへの期待が高まっている。このシリコンフォトニクスにおけるデバイス開発の手法として、我々は、薄膜のInPとSi基板を直接貼付法によって貼り合せ、このInP/Si基板上にInP系結晶の成長をすることで光デバイスの集積および作製を行う手法を提案してきた[1,2]。
今回、Si基板にガスアウトチャネルというボイドを拡散させる溝を作製し、InP薄膜を貼付けた基板とInP/Si基板の表面状態をノマルスキー顕微鏡を用いて観察を行い、ボイド占有率の比較を行った。