[16p-Z10-1~17] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[16p-Z10-4] ガスアウトチャネルを用いた直接貼付InP/Si基板のボイド占有率比較

〇佐藤 元就¹、石﨑 隆浩¹、白井 琢人¹、対馬 幸樹¹、澁川 航大¹、阿形 幸二¹、小谷 桃子¹、伊藤 慎吾¹、韓 旭¹、下村 和彦¹ (1.上智大理工)

キーワード：半導体、シリコンフォトニクス、光インターコネクション

増大する通信需要に対して通信ネットワークの大容量化のために、電気・光デバイスの集積化技術であるシリコンフォトニクスへの期待が高まっている。このシリコンフォトニクスにおけるデバイス開発の手法として、我々は、薄膜のInPとSi基板を直接貼付法によって貼り合せ、このInP/Si基板上にInP系結晶の成長をすることで光デバイスの集積および作製を行う手法を提案してきた[1,2]。
今回、Si基板にガスアウトチャネルというボイドを拡散させる溝を作製し、InP薄膜を貼付けた基板とInP/Si基板の表面状態をノマルスキー顕微鏡を用いて観察を行い、ボイド占有率の比較を行った。