[16p-Z10-1~17] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

△ [16p-Z10-9] 異種材料接合により集積されたSOI基板上波長可変レーザおよび光増幅器による相互利得変調の試行

〇槇原 豊¹、菊地 健彦^1,3、平谷 拓生³、藤原 直樹^1,3、井上 尚子³、新田 俊之^1,3、モータズ エイッサ¹、御手洗 拓矢¹、大礒 義孝¹、雨宮 智宏^1,2、八木 英樹³、西山 伸彦^1,2 (1.東工大工、2.東工大未来研、3.住友電工伝送デバイス研)

キーワード：シリコンフォトニクス、III-V/Siハイブリッド集積、波長変換

我々はシリコンプラットフォーム上異種材料集積技術を利用し、将来の機能可変型光集積回路の実現に向けて、光集積回路基本構成要素の組み合わせ変更による複数機能の実現を目指している。実現可能な機能の一つとして相互利得変調による波長変換が考えられる 。今回は、実際にSOI基板上レーザ・SOAの一体集積による波長変換動作を始めて実現したのでご報告する。