[16p-Z12-1~17] 8.8 プラズマエレクトロニクス分科会30周年記念特別セッション

[16p-Z12-8] 任意波形励起プラズマCVD法によるa-C:H膜質の制御

〇(M2)岩本 亮介¹、鎌滝 晋礼¹、板垣 奈穂¹、古閑 一憲^1,2、白谷 正治¹、進藤 崇央³、田中 諭志³、松土 龍夫³ (1.九大シス情、2.自然科学研究機構、3.東京エレクトロン テクノロジーソリューションズ(株))

キーワード：プラズマCVD、任意波形励起、水素化アモルファスカーボン (a-C:H)