[16p-Z14-1~5] CS.6 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[16p-Z14-1] The difference of InGaN photocathode with photoemission characteristics

〇(D)Masahiro Kashima¹, Daiki Sato², Atsushi Koizumi², Hokuto Iijima², Tomohiro Nishitani^2,3, Yoshio Honda³, Hiroshi Amano³, Takashi Meguro¹ (1.Tokyo University of Science, 2.Photo electron Soul INC., 3.Institute of Materials and Systems for Sustainability Nagoya University)

Keywords:Negative electron affinity surface, Photocathode, InGaN

p-InGaN(0001)に対するNEA表面の活性化方法としてCsのみの供給、CsとO₂の交互供給、CsとO₂の同時供給をそれぞれ行い、得られた量子効率の最大値は0.27%、0.33%、0.83%であった。この結果から同時供給という非常にシンプルな方法で高い量子効率が得られた。更にNEA活性化過程における量子効率に2段階に増加していくという、これまでに報告されたことのない変化を示した。この2段階のモードの存在および寿命特性を現在調べている。