[16p-Z14-1~5] CS.6 6.5 表面物理・真空、7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[16p-Z14-2] NEA活性化過程における量子効率とCs吸着状態のO₂供給量依存性

〇佐田 雄飛¹、城生 大¹、目黒 多加志¹ (1.東理大)

キーワード：半導体、表面、真空

負の電子親和力(Negative Electron Affinity; NEA)表面を形成したGaAsは、極短パルス性や高スピン偏極等の多彩な電子ビームの生成が可能な点で革新的光電子源として注目されてきた。通常、NEA表面はCsとO₂を交互に供給するNEA活性化を行うことで形成するが、その表面構造及び形成過程の詳細については解明できていない。本研究では、NEA表面形成過程におけるO₂の役割に着目し、NEA活性化中の量子効率とCs脱離スペクトルのO₂供給量依存性について調べた。