[16p-Z23-1~10] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-Z23-4] CaGe₂ film growth by close-spaced evaporation and transformation to GeH

〇Kosuke Hara¹, Shin Kunieda¹, Junji Yamanaka², Keisuke Arimoto¹, Mai Ito³, Masashi Kurosawa^3,4 (1.CCST, Univ. of Yamanashi, 2.CIA, Univ. of Yamanashi, 3.Grad. Sch. of Eng., Nagoya Univ., 4.IAR, Nagoya Univ.)

Keywords:layered material, thermal evaporation

FETのチャネル材料として期待される層状物質ゲルマナン(GeH)は、CaGe₂の低温HCl処理により作製できるが、CaGe₂の成膜法は分子線エピタキシーに限られている。本研究は、高速で大面積成膜が可能な近接蒸着法により、GeHに変換可能なCaGe₂の成膜が可能か明らかにすることを目的に調査を行った。800 °Cで成膜したCaGe₂の低温HCl処理によりGeHへの変換に成功した。