[16p-Z23-1~10] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-Z23-7] Carrier lifetime and dark current of Mg₂Si pn-junction diode formed on Mg₂Si substrate by thermal diffusion

〇Naoki Mizunuma¹, Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ.)

Keywords:Mg2Si

我々は、Mg₂Si基板を用いたpn接合フォトダイオードによる赤外線センサの開発を進めている。センサの検出感度の向上には暗電流の低減が必須であり、Mg₂Si pn接合フォトダイオードの暗電流を支配する機構を明らかにすることは重要である。今回、J-V特性評価とOCVD法を用いた少数キャリア拡散寿命の評価によってMg₂Si pn接合フォトダイオードの暗電流の支配因子について評価を行った。