[16p-Z23-1~10] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16p-Z23-8] Relationship between Bias-voltage and Photosensitivity of Mg₂Si Photodiodes with a ring-mesh-electrode

〇Yudai Ichikawa¹, Takeru Miyauchi¹, Misa Yoshida², Daiju Tsuya², Haruhiko Udono¹ (1.Ibaraki Univ., 2.NIMS)

Keywords:semiconductor, Mg2Si, photodiode

我々は安価に大量普及可能なMg₂Si-pn接合フォトダイオード（PD）の開発を進めている。前回、p型Mg₂Si層と接触する金属電極の仕事関数を適切に選択することで受光感度が増加することを報告した。今回、同メッシュ状電極Mg₂Si PDの逆バイアスでの分光感度特性について評価したので報告する。