2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

CS コードシェアセッション » 【CS.5】 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス/配線/集積化技術のコードシェアセッション

2021年3月16日(火) 13:30 〜 17:30 Z26 (Z26)

藤村 紀文(阪府大)、徳光 永輔(北陸先端大)

16:00 〜 16:15

[16p-Z26-10] HfxZr1-xO2 薄膜の強誘電性に対するフラッシュランプアニールの効果

和泉 賢人1、高橋 響1、河原崎 光2、谷村 英昭2、加藤 慎一2、奈良 安雄1 (1.兵庫県大工、2.SCREENセミコン)

キーワード:強誘電体、HfO2、薄膜

Hf0.5Zr0.5O2薄膜に対するFLA(Flash Lamp Annealing)効果について、FLAの本加熱温度(Tp)、アシスト加熱温度(Ta)、本加熱時間のパラメータを系統的に変えて強誘電特性を調査した結果を報告する。