[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[16p-Z26-10] Hf_xZr_1－xO₂ 薄膜の強誘電性に対するフラッシュランプアニールの効果

〇和泉 賢人¹、高橋 響¹、河原崎 光²、谷村 英昭²、加藤 慎一²、奈良 安雄¹ (1.兵庫県大工、2.SCREENセミコン)

キーワード：強誘電体、HfO2、薄膜

Hf_0.5Zr_0.5O₂薄膜に対するFLA(Flash Lamp Annealing)効果について、FLAの本加熱温度(Tp)、アシスト加熱温度(Ta)、本加熱時間のパラメータを系統的に変えて強誘電特性を調査した結果を報告する。