[16p-Z26-1~15] CS.5 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[16p-Z26-9] Study of orthorhombic phase of low-temperature fabricated Hf_xZr_1−xO₂ thin films using synchrotron X-ray

〇Takashi Onaya^1,2,3,4, Toshihide Nabatame², Yong Chan Jung³, Heber Hernandez-Arriaga³, Jaidah Mohan³, Harrison S. Kim³, Naomi Sawamoto⁵, Chang-Yong Nam⁶, Esther H. R. Tsai⁶, Takahiro Nagata², Jiyoung Kim³, Atsushi Ogura^1,5 (1.Meiji Univ., 2.NIMS, 3.UT Dallas, 4.JSPS Research Fellow DC, 5.MREL, 6.Brookhaven National Lab.)

Keywords:ferroelectric HfxZr1-xO2 thin film, synchrotron X-ray, plasma-enhanced atomic layer deposition

Hf_xZr_1−xO₂ (HZO)膜の強誘電性と結晶構造の関係を理解するために、格子定数が非常に近いために分離解析が難しい通常のX線回折法に代わって、強誘電相である直方晶(O)、正方晶(T)及び立方晶(C)相からO相を同定する解析が望まれている。本研究では、放射光X線を用いた微小角入射広角X線散乱法により、プラズマ原子層堆積法と熱処理で低温形成したHZO膜のO/T/C相の格子面間隔を解析すると共に強誘電性との関係について議論した。