[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[16p-Z26-15] ミストCVD法Hf_xZr_1-xO₂薄膜特性の製膜後RTA依存性

〇(M1)藤原 悠希¹、大西 潤哉¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹、野田 実¹ (1.京工繊大)

キーワード：二酸化ハフニウムジルコニウム、ミストCVD、強誘電体

従来応物でミストCVD由来(Hf,Zr)O₂薄膜における強誘電体特性を明らかにしたが、製膜後熱処理はしておらず、今回同処理による結晶性の変化について検討した。同膜の製膜後熱処理として550～650℃のRTA後、GIXRDにて HfO₂薄膜では単斜晶m相が主に現れたのに対して、HZO薄膜では同相よりも直方晶o/正方晶t/立方晶c相が明白に大きく、強誘電体o相の存在比が高い結晶性を有することが分かった。