[16p-Z26-1~15] CS.5 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[16p-Z26-8] キャップ層を用いたアニールによるHfO₂膜中歪み操作と強誘電相安定化効果の面内および面外方向へのX線回折を用いた評価

〇籾山 陽紀¹、Nittayakasetwat Siri¹、喜多 浩之¹ (1.東大マテ工)

キーワード：HfO2、ferroelectric、キャッピング

強誘電体HfO2薄膜には膜中に大きな構造の歪みが存在し面内方向と面外方向のXRDピークのシフトとして検出可能である。薄膜厚の変化やキャッピングによってこの歪みがどのように変化するのかを確認し、強誘電体特性と疲労現象を比較することで歪み制御による強誘電体特性の操作の可能性が示唆された。