[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-11] 広帯域光子対発生に向けたGaN導波路型微小共振器デバイスの作製

〇永田 拓実¹、梅田 颯志¹、隈部 岳瑠²、安藤 悠人²、出来 真斗^2,3、本田 善央⁴、天野 浩^3,4,5、トーマス ポージン⁶、山田 和輝⁶、岩谷 素顕⁶、上向井 正裕¹、谷川 智之¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.名大院工、3.名大VBL、4.名大IMaSS、5.名大ARC、6.名城大院工)

キーワード：光子対発生、波長変換、微小共振器

我々が提案する微小共振器型光子対発生デバイスは、相互作用長が短く位相不整合の影響が小さいため、広帯域な光子対を発生させることができる。本研究ではTMAH水溶液を用いた異方性ウェットエッチングにより垂直性の高いDBRを形成し、被覆性の高い原子層堆積法（ALD法）を用いて深溝へAl₂O₃を埋め込んだ。