[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-12] AlN/sapphireテンプレート上へのGaN量子ドットの形成

〇有田 宗貴¹、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子機構)

キーワード：量子ドット、AlN、MOCVD

紫外GaN量子ドットレーザの要素技術開発において、AlNバッファ層を高品質化するためAlN/sapphireテンプレートを利用してAlNおよびGaN/AlN量子ドットのMOCVD結晶成長を行った。従来のサファイア基板上試料と比較して、構造特性・光学特性の改善が確認された。