[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-7] マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（2)

〇長澤 陽祐¹、平野 光¹、一本松 正道¹、迫 秀樹²、橋本 愛²、杉江 隆一²、本田 善央³、天野 浩³、赤﨑 勇⁴、小島 一信⁵、秩父 重英⁵ (1.創光科学、2.東ﾚﾘｻｰﾁｾﾝﾀ、3.名大IMaSS、4.名城大理工、5.東北大IMRAM)

キーワード：AlGaN、深紫外、発光ダイオード

マクロステップを有するAlN上のAl_aGa_1-aN (a=0.63, 0.55, 0.43)内部に形成された20 nm幅のGaNモル分率の高い領域（current pathway）の組成分析を, Rutherford後方散乱により補正したエネルギー分散型X線分光を用いて行った．current pathwayの組成はAl_yGa_1-yN (y~n/12; n=7, 6, 5)が得られた．