[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-Z27-9] Design and Fabrication of Transverse Quasi-Phase-Matched Polarity Inverted Double-Layer AlN Waveguide for 230-nm DUV Generation

〇Hiroto Honda¹, Takumi Nagata¹, Shuhei Ichikawa^1,2, Yasufumi Fujiwara¹, Kanako Shojiki³, Hideto Miyake^3,4, Masahiro Uemukai¹, Tomoyuki Tanikawa¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.UHVEM, Osaka Univ., 3.Mie Univ., 4.RIS, Mie Univ.)

Keywords:Deep UV

新型コロナウィルスの流行にともない、深紫外光を用いた非接触な消毒・殺菌に注目が集まっている。我々は強い光学非線形性を有するAlNを用い、表面活性化接合技術により横型擬似位相整合（QPM）2層極性反転導波路を作製し、青色の第二高調波発生（SHG）を実証した。本発表では波長230 nmの横型QPM SHGデバイスを設計するとともに、スパッタ法を用いた極性制御技術により2層極性反転AlN薄膜を作製した。