The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

Tue. Mar 16, 2021 1:00 PM - 5:15 PM Z27 (Z27)

Motoaki Iwaya(Meijo Univ.), Ryuji Katayama(Osaka Univ.), Tomoyuki Tanikawa(Osaka Univ.)

3:30 PM - 3:45 PM

[16p-Z27-10] Study on AlN Doubly-Resonant Microcavity Surface Emission DUV SHG Device

Tomoaki Nambu1, Taketo Yano1, Takumi Nagata1, Ryo Tanabe1, Soshi Umeda1, Shuhei Ichikawa1,2, Yasufumi Fujiwara1, Masahiro Uemukai1, Tomoyuki Tankawa1, Ryuji Katayama1 (1.Osaka Univ., 2.Research Center for UHVEM)

Keywords:SHG, DUV, Surface Emission

近年、深紫外線(DUV)を用いたウイルス不活性化に大きな注目が集まっている。中でも波長230 nm近傍の光は人体への直接照射が可能である。DUV光源の有力な候補としてAlN(吸収端波長: 210 nm)を用いた第二高調波発生(SHG)デバイスが挙げられ、有人領域での空間殺菌に期待できる。本発表では、AlN微小二重共振器型面発光DUV第二高調波発生デバイスを提案する。