[17a-Z06-1~8] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[17a-Z06-6] Surface Shrink of SiO₂ Layer with Reduction Reaction by Electron-Beam Irradiation

〇Kyota Akimoto¹, Keisuke Fujimori¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:silicon oxide, electron irradiation effect, reduction reaction

薄膜シリコン酸化膜(SiO₂)に高電流密度電子線を照射すると、照射された領域で還元反応が生ずることが知られている。前回我々は 20nm 以上の厚膜でも同様の反応が生じ、還元領域を起点として、選択的に SiO₂ 膜が熱分解され SiO₂ 貫通穴を形成できることを報告した。今回は還元反応と同時に照射領域が収縮陥没することを見出したので、その結果を報告する。