[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-Z27-2] THVPE法によるSCAMO基板上InGaN成長

〇小林 伊織¹、江間 研太郎¹、日永田 亮平¹、村上 尚¹、纐纈 明伯¹ (1.東京農工大院工)

キーワード：Ⅲ-Ⅴ族窒化物半導体、InGaN

高In組成のInGaN結晶成長において大きな課題となっているミスフィット転位の導入による結晶品質の低下を解決するために、ScMgAlO₄(SCAMO)を基板に用いた格子整合系InGaN成長を試みた。また、当研究室で提案しているトリハライド気相成長(THVPE)法を用いることで高品質なInGaNの高速成長実現への可能性が示唆された。