[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-Z27-4] Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of Threading Dislocations in GaN

〇Tomoyuki Tanikawa¹, Mariko Adachi², Rikuto Terada¹, Mayuko Tsukakoshi¹, Masahiro Uemukai¹, Ryuji Katayama¹ (1.Osaka Univ., 2.Nanophoton)

Keywords:Multiphoton-Excitation Photoluminescence, Threading Dislocation, Raman spectroscopy

多光子励起PL法を用いたGaN結晶中の転位種の識別に向けて、多光子励起PL測定で観察される暗点と、ラマンマッピング測定で観察される歪場の相関を調べた。コントラストの淡い暗点には転位の歯上成分に起因した歪場が観測された。一方、コントラストの濃い暗点には歪場は見られなかった。これは、暗点のコントラストによりらせん転位を識別可能な可能性を示している。当日は転位の伝搬挙動と刃状転位成分の関係についても報告する。