The 68th JSAP Spring Meeting 2021

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

Wed. Mar 17, 2021 9:00 AM - 11:30 AM Z27 (Z27)

Narihito Okada(Yamaguchi Univ.), Masayuki Imanishi(Osaka Univ.)

9:45 AM - 10:00 AM

[17a-Z27-4] Correlation Between MPPL and Raman Mapping Images of Threading Dislocations in GaN

Tomoyuki Tanikawa1, Mariko Adachi2, Rikuto Terada1, Mayuko Tsukakoshi1, Masahiro Uemukai1, Ryuji Katayama1 (1.Osaka Univ., 2.Nanophoton)

Keywords:Multiphoton-Excitation Photoluminescence, Threading Dislocation, Raman spectroscopy

多光子励起PL法を用いたGaN結晶中の転位種の識別に向けて、多光子励起PL測定で観察される暗点と、ラマンマッピング測定で観察される歪場の相関を調べた。コントラストの淡い暗点には転位の歯上成分に起因した歪場が観測された。一方、コントラストの濃い暗点には歪場は見られなかった。これは、暗点のコントラストによりらせん転位を識別可能な可能性を示している。当日は転位の伝搬挙動と刃状転位成分の関係についても報告する。