[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-Z27-6] Structure analysis of OVPE-grown GaN crystals by using nanobeam X-ray diffraction

Jun Kuritani¹, Tetsuya Tohei¹, Takeaki Hamachi¹, 〇Yusuke Hayashi¹, Junichi Takino², Tomoaki Sumi², Shigeyoshi Usami³, Masayuki Imanishi³, Yusuke Mori³, Kazushi Sumitani⁴, Yasuhiko Imai⁴, Shigeru Kimura⁴, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Panasonic, 3.Grad. Sch. Eng., Osaka Univ., 4.JASRI)

Keywords:GaN, OVPE, SPring-8

窒化ガリウム（GaN）の結晶成長法として近年考案されたOxide-Vapor-Phase-Epitaxy（OVPE）法は、成長中の固体副生成物が出来ないため長時間成長が可能であり、GaN単結晶基板の生産性を向上させることができる。OVPE法ではエピ層に酸素（O）やシリコン（Si）が不純物として多く取り込まれることから、OVPE-GaNは高い電気伝導性を示し、縦型パワーデバイスへの応用が検討されている。本研究では、OVPE-GaN基板の不純物分布と局所的な結晶性の関係性を明らかにするため、走査型電子顕微鏡法（SEM）、多光子励起顕微鏡法（MPPL）、およびシンクロトロン放射光を利用したナノビームX線回折（nanoXRD）を用いて構造評価を行った。