[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-Z27-7] Growth of GaN Single Crystals with Low Dislocation Density using Flux-Film-Coated Na flux method.

〇Fumio Kawamura¹, Yelim Song¹ (1.NIMS)

Keywords:Na flux, GaN, Dislocation

Naフラックス法で育成されたGaN単結晶は転位密度が低くGaN系パワーデバイス用基板としての応用が期待されている。一方、Naフラックス法の特徴であるIsland成長によってGa-Na溶液が結晶中にインクルージョンとして取り込まれた場合、デバイス作製時に基板内部で損傷が発生する可能性がある。今回、結晶表面を常に約0.1mmのGa-Naフラックス膜で覆いながら結晶成長させる“Flux-Film-Coated LPE (FFC-LPE)法”によってインクルージョンフリーの低転位GaN結晶成長が可能となった