[17a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-Z27-6] ナノビームX線回折によるOVPE成長GaN結晶の微細構造解析

栗谷 淳¹、藤平 哲也¹、濱地 威明¹、〇林 侑介¹、滝野 淳一²、隅 智亮²、宇佐美 茂佳³、今西 正幸³、森 勇介³、隅谷 和嗣⁴、今井 康彦⁴、木村 滋⁴、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.パナソニック、3.阪大院工、4.JASRI)

キーワード：GaN、OVPE、SPring-8

窒化ガリウム（GaN）の結晶成長法として近年考案されたOxide-Vapor-Phase-Epitaxy（OVPE）法は、成長中の固体副生成物が出来ないため長時間成長が可能であり、GaN単結晶基板の生産性を向上させることができる。OVPE法ではエピ層に酸素（O）やシリコン（Si）が不純物として多く取り込まれることから、OVPE-GaNは高い電気伝導性を示し、縦型パワーデバイスへの応用が検討されている。本研究では、OVPE-GaN基板の不純物分布と局所的な結晶性の関係性を明らかにするため、走査型電子顕微鏡法（SEM）、多光子励起顕微鏡法（MPPL）、およびシンクロトロン放射光を利用したナノビームX線回折（nanoXRD）を用いて構造評価を行った。