[17p-P02-1~8] 3.13 Semiconductor optical devices

[17p-P02-2] Strain dependence of GaInAsP / GaInAsP MQW laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇(B)Kouji Agata¹, Takahiro Ishizaki¹, Xu Han¹, Koki Tsushima¹, Shirai Takuto¹, Sato Motonari¹, Kota shibukawa¹, shingo Ito¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:optical electronics, Silicon Photonics, optical communication

IoTやクラウドコンピューティングの発展によって情報通信量が著しく増加し続けている。今後、大容量・低消費電力システムを実現するためにシリコンフォトニクスへの期待が高まっている。われわれはシリコンフォトニクスにおけるレーザ光源を開発するために、Si基板上にInP薄膜とSi基板を直接貼り付けした基板を作製し、この基板上にⅢ-Ⅴ族デバイスをMOVPE成長させる方法を提案した[1,2]。今回、InP/Si基板上に成長するMQW構造に圧縮歪を導入したレーザの発振特性について報告する。