[17p-P06-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17p-P06-4] 紫外レーザーアニーリングによる種々の不純物をドープしたβ-Ga₂O₃薄膜の固相結晶化と特性評価

〇(M1)渡邉 一樹¹、松島 拓海¹、大賀 友瑛¹、土嶺 信男²、金子 智^3,1、松田 晃史¹、吉本 護¹ (1.東工大物質理工、2.(株)豊島製作所、3.神奈川県産技総研)

キーワード：Ga2O3、不純物ドープ、固相結晶化

β型酸化ガリウム(β-Ga₂O₃)は約4.9eVのバンドギャップを持つ半導体である。室温ELAプロセスはパルスレーザー照射による極短時間での固相結晶化を誘起し、ドーパントの蒸発や分相析出を抑制することから、浅いアクセプター準位を形成し導電性に寄与するドーパントの探索が期待できる。本研究では、β-Ga₂O₃ 薄膜へのドーピングによる特性制御を目的とし、ELA固相エピタキシャル結晶成長を用いた種々の不純物ドーピングとその構造・特性評価を実施した。