[17p-Z02-1~7] 相変化メモリ材料の進展と将来展望

[17p-Z02-4] 相変化材料におけるAgの異常拡散
ーナノワイヤ形成からガンマ線検出まで ー

〇中岡 俊裕¹、渡部 達也¹、朴 孝晟¹、中谷 和希¹、依田 功²、正光 義則³、川﨑 繁男³ (1.上智理工、2.東工大、3.宇宙航空研究開発機構)

キーワード：カルコゲナイド、ナノワイヤ、放射線センサー

電気化学反応により活性金属イオンが非晶質カルコゲナイドを移動する現象は，センサー，メモリなど広い応用をもつ現象として注目されている。我々は代表的な相変化材料であるGe-(Sb)-Te系薄膜とCBRAMの活性金属であるAgとの電気化学反応について研究を進めてきた。本講演では，電気化学反応に基づくナノワイヤ成長と耐放射線メモリや放射線センサーに向けた研究としてγ線に対する可逆な抵抗変化を紹介する。