[17p-Z02-1~7] Progress and future prospects in phase change memory materials

[17p-Z02-7] Development of phase change materials enabling low-power and fast operation PCRAM

〇Yuji Sutou¹, Shogo Hatayama¹, Shunsuke Mori¹, Yi Shuang¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:Non volatile memory, chalcogenide, phase transition

本発表では、我々が最近取り組んでいる遷移金属を含むカルコゲナイド系材料について、相転移メカニズムや電極界面接触抵抗の影響について触れ、将来に向けたPCRAMの省エネ・高速化の可能性について紹介する。