[17p-Z12-1~12] グラフェン研究の進展と今後の展望～ノーベル物理学賞受賞から10年～

[17p-Z12-7] SiC上グラフェン研究の進展と展望

〇乗松 航¹ (1.名大院工)

キーワード：グラフェン

SiCの熱分解により成長するグラフェンの特徴は、ウェハースケールの単一方位グラフェンを、絶縁性基板であるSiC上に直接形成できる点にある。そのため、エレクトロニクス応用に適しているとされ、多くの研究がなされてきた。本発表では、グラフェンのノーベル賞の2010年前後から現在までの、SiC上グラフェン研究の進展と、現在の状況および今後の展望について述べる。