[17p-Z20-1~13] 11.1 基礎物性

[17p-Z20-1] 一方向溶融成長(SDMG)法を用いた 大型 REBCO溶融凝固バルク の短時間育成

〇元木 貴則¹、布川 航太¹、笹田 廉陛¹、富久 琢磨¹、中村 新一²、下山 淳一¹ (1.青学大理工、2.TEP)

キーワード：REBCO溶融凝固バルク、銅酸化物高温超伝導体、一方向溶融成長

捕捉磁場特性の改善にはバルクの大型化が有効であるが、一般に種結晶から離れるほど過飽和度の増大による不均一核生成が起こりやすくなるため、バルク径の大型化に伴い結晶成長に要する時間が大幅に増加する。これまで我々は、異なる希土類元素のREBCOの包晶温度の差を利用して、大型の溶融凝固バルクを切り出したseed plate上に溶融バルクを育成する一方向溶融成長(Single-Direction Melt Growth, SDMG)法を開発してきた。本手法は、鉛直方向のみに結晶成長が進行するため、バルク径に依らず短時間でのバルク結晶育成が可能である。今回、単一もしくは複数の焼結体ペレットを用いて、SDMG法で大型化した溶融凝固バルクの短時間育成を試みたので報告する。