[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-3] [第12回シリコンテクノロジー分科会論文賞受賞記念講演] c-Si表面パッシベーションにおけるプラズマ誘起欠陥とバンド構造

〇布村 正太¹、坂田 功¹、榊田 創¹、古閑 一憲²、白谷 正治² (1.産総研、2.九大)

キーワード：パッシベーション、欠陥、界面

半導体デバイスの作製において、成膜、エッチング、インプラ等の工程にプラズマプロセスが用いられる。プラズマプロセスは、非平衡材料の形成や微細加工を可能にする一方、半導体表面に欠陥を形成しデバイス性能を律速する課題を抱える。そのため、このプロセス起因のプラズマ誘起欠陥を理解し制御することが重要である。 筆者等は、これまで、シリコン（c-Si）太陽電池の高効率化を目指し、表面パッシベーションの向上に関する研究を進めてきた。表面パッシベーションは、c-Si上に水素化アモルファスシリコン（a-Si:H）を10nm程度成長させることで実現できる。しかし、その性能は、a-Si:H/c-Si界面に発生するプラズマ誘起欠陥とバンド構造に依存し、その詳細は理解されていない。今回、a-Si:H及びエピタキシャルSiをパッシベーション膜として選び、プラズマ成膜下の膜成長時のパッシベーション性能を調査した。