[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[17p-Z26-5] [第12回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] 大面積集積化に向けたPVD堆積ノーマリオフMoS₂-nMISFETs

〇松浦 賢太朗¹ (1.ソニー株式会社)

キーワード：二硫化モリブデン、スパッタリング法、ノーマリーオフ

本研究では、スパッタリング法で堆積した薄膜MoS₂をチャネルとし、チップサイズにMISFETsを作成し、MoS₂膜のキャリア密度と、MoS₂/絶縁膜界面電荷密度の低減によりnormally-off動作を実現した。当日は、二次元半導体研究の最新事例も紹介し、研究動向についても報告する。また、本研究は、発表者が東京工業大学博士後期課程在籍時に行ったものである。ソニー株式会社は現在の所属先であり、研究内容とは一切関係ない。