[17p-Z26-1~15] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [17p-Z26-7] High Electron Mobility Germanium FinFET Fabricated by Neutarl Beam

〇Daisuke Ohori¹, Shuichi Noda², Takuya Fujii¹, Wataru Mizubayashi², Kazuhiko Endo^1,2, Yiming Li³, Yao-Jen Lee⁴, Takuya Ozaki¹, Seiji Samukawa^1,2,5 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIST, 3.NCTU, 4.TSRI, 5.AIMR, Tohoku Univ.)

Keywords:Ge FinFET, Neutral Beam Etching, Electron mobility

近年、高いキャリア移動度をもつGeを用いた100 nm以下のFin幅をもつ構造が実現している。GeはSiのエッチング反応と比較して欠陥生成に対してより敏感であり、中性粒子ビーム(NB)を用いることでエッチング界面を低損傷かつ平坦にすることが可能となった。本研究ではGe Fin構造においてNBエッチングによる損傷のない側壁構造を実現し、実際の電子移動度に与える影響を、従来のプラズマエッチングとNBエッチングを用いて検討した。