[17p-Z26-1~15] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [17p-Z26-7] 中性粒子ビーム加工による高移動度Ge FinFETの実現

〇大堀 大介¹、野田 周一²、藤井 卓也¹、水林 亘²、遠藤 和彦^1,2、Li Yiming³、Lee Yao-Jen⁴、尾崎 卓哉¹、寒川 誠二^1,2,5 (1.東北大流体研、2.産総研、3.NCTU、4.TSRI、5.東北大AIMR)

キーワード：Ge FinFET、中性粒子ビームエッチング、電子移動度

近年、高いキャリア移動度をもつGeを用いた100 nm以下のFin幅をもつ構造が実現している。GeはSiのエッチング反応と比較して欠陥生成に対してより敏感であり、中性粒子ビーム(NB)を用いることでエッチング界面を低損傷かつ平坦にすることが可能となった。本研究ではGe Fin構造においてNBエッチングによる損傷のない側壁構造を実現し、実際の電子移動度に与える影響を、従来のプラズマエッチングとNBエッチングを用いて検討した。