[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [17p-Z28-8] Improvement and laser application of 1300nm range long wavelength InAs quantum dots

〇Kazuki Fujisawa¹, Shigekazu Okumura¹, Tamami Naruke¹, Kenichi Nishi¹, Yutaka Onishi¹, Keizo Takemasa¹, Mitsuru Sugawara¹ (1.QD Laser, Inc.)

Keywords:quantum dot, semiconductor laser

量子ドットレーザにおいて従来より長波長のレーザの特性を向上させるため、歪緩和層の成長条件を最適化し、活性層の改善を実現した。歪緩和層のIn組成やAs圧力を調整した試料をMBEで作製し、そのPL特性やレーザ特性を評価した。Inのみを変更するより、As圧力も調整した試料の方が、PL特性では発光強度が強く半値幅は狭くなった。レーザ特性は1320nmで発振し、特に85℃でAs圧力も調整した試料の方が飽和出力が伸び特性が向上した。