The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[17p-Z28-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

Wed. Mar 17, 2021 1:30 PM - 6:00 PM Z28 (Z28)

Nobuhiko Ozaki(Wakayama Univ.), Toshiyuki Kaizu(Kobe Univ.), Yoriko Tominaga(Hiroshima Univ.), Kentaro Onabe

4:00 PM - 4:15 PM

[17p-Z28-8] Improvement and laser application of 1300nm range long wavelength InAs quantum dots

Kazuki Fujisawa1, Shigekazu Okumura1, Tamami Naruke1, Kenichi Nishi1, Yutaka Onishi1, Keizo Takemasa1, Mitsuru Sugawara1 (1.QD Laser, Inc.)

Keywords:quantum dot, semiconductor laser

量子ドットレーザにおいて従来より長波長のレーザの特性を向上させるため、歪緩和層の成長条件を最適化し、活性層の改善を実現した。歪緩和層のIn組成やAs圧力を調整した試料をMBEで作製し、そのPL特性やレーザ特性を評価した。Inのみを変更するより、As圧力も調整した試料の方が、PL特性では発光強度が強く半値幅は狭くなった。レーザ特性は1320nmで発振し、特に85℃でAs圧力も調整した試料の方が飽和出力が伸び特性が向上した。