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△ [17p-Z28-8] Improvement and laser application of 1300nm range long wavelength InAs quantum dots
Keywords:quantum dot, semiconductor laser
量子ドットレーザにおいて従来より長波長のレーザの特性を向上させるため、歪緩和層の成長条件を最適化し、活性層の改善を実現した。歪緩和層のIn組成やAs圧力を調整した試料をMBEで作製し、そのPL特性やレーザ特性を評価した。Inのみを変更するより、As圧力も調整した試料の方が、PL特性では発光強度が強く半値幅は狭くなった。レーザ特性は1320nmで発振し、特に85℃でAs圧力も調整した試料の方が飽和出力が伸び特性が向上した。