[17p-Z33-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

[17p-Z33-7] Research on in situ Sb doping of tensile-strained Si/SiGe/Si(110) heterostructures

〇(B)Mizuki Kikkawa¹, Daichi Namiuchi¹, Beichen Chen¹, Miki Horiuchi¹, Taisuke Fujisawa¹, Junji Yamanaka¹, Kosuke Hara¹, Kiyokazu Nakagawa¹, Keisuke Arimoto¹ (1.Yamanashi Univ.)

Keywords:Strained Si, Sb doping, Raman

我々の研究室ではSiを歪ませることで電子の移動度を向上させることができる歪みSiについて研究をしている。しかしOff状態でのドレイン電流の低減についての課題が残っておりn型ドーピングによる解決を検討している。本研究ではSbのin situドーピングの結晶性等への影響を調べている。