[17p-Z33-1~8] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[17p-Z33-7] 歪みSi/ SiGe/Si(110)ヘテロ構造へのin situ Sbドーピングに関する研究

〇(B)吉川 満希¹、浪内 大地¹、陳 北辰¹、堀内 未希¹、藤澤 泰輔¹、山中 淳二¹、原 康祐¹、中川 清和¹、有元 圭介¹ (1.山梨大工)

キーワード：歪みSi、Sbドーピング、Raman

我々の研究室ではSiを歪ませることで電子の移動度を向上させることができる歪みSiについて研究をしている。しかしOff状態でのドレイン電流の低減についての課題が残っておりn型ドーピングによる解決を検討している。本研究ではSbのin situドーピングの結晶性等への影響を調べている。