The 68th JSAP Spring Meeting 2021

Presentation information

Oral presentation

13 Semiconductors » 13.9 Compound solar cells

[17p-Z35-1~12] 13.9 Compound solar cells

Wed. Mar 17, 2021 1:30 PM - 4:45 PM Z35 (Z35)

Yoji Akaki(Natl. Inst. of Tech.,Miyakonojo Col.)

3:45 PM - 4:00 PM

[17p-Z35-9] Deposition of Cu-Sn precursors on Mo-coated substrates and preparation of Cu2SnS3
thin films by fine channel mist CVD method

Takuya Tomono1, Yoshihisa Humitaka1, Okamura Kazuya1, Tanaka Kunihiko1 (1.Nagaoka Univ. Tech.)

Keywords:Cu2SnS3, Thin Film Solar Cells, Mist CVD

これまで本研究室ではファインチャネルミストCVD 法を用いて,Mo コート基板上にCTS 薄膜の堆積を行ってきた。しかし,Mo コート基板上にCu-Sn(CT)プリカーサを堆積させるとMoごとCT プリカーサが剥離する現象が確認されていた。その原因として,Mo と プリカーサとの熱膨張係数の違いが考えられる。そこで本研究では,Mo 表面の熱膨張係数をプリカーサに近づけることによってMo コート基板にミストCVD 法でCT プリカーサを堆積することを試みた。